Imperium membrana resistendi in High intentione Resistors

Saccharum cinematographicum carbonis et metallicum vitreum cinematographicum altissime resistentiae cinematographicae habere possunt, unde facere solentprinceps voltage resistors. Adde repugnantiam;princeps voltage resistorssustinere aliquid virtutis et summa intentione. Ad valorem resistentiae augendum et coëfficientem minorem intentionem obtinendam, cinematographica conductiva angusta et longa efficienda est. Longitudo pelliculae syntheticae carbonis brevior quam 2 cm/kV esse non debet.

Quoad emendationem resistentiae vitreae vitreae metallicae resistentiae cinematographicae, methodus augendi cristallum incrementum agentis ad materiam vitream metallicam in litteris relata est. Pars conductiva in formula oxydatum ruthenium est, compages agentis vitreum est, cristallum incrementum agentis imperium est alumina pulveris, et tabellarius cellulosus ethyl est. TESTA vitreae metallicae vitreae vitreae substratae et ad 975~1025℃ pro 45~60 momentis obducta sunt. Per incendium processum, compages agentis tabescit et tempus conductivum crescunt, donec per agentis imperium refrenetur. Crystallus incrementum agentis imperium format iners ordinatae ad evacuationes. Tempus conductivum est substantia in vacuo ordinata. Voltatio coefficiens cinematographici cinematographici sub voltage gradiente 1100V/cm (resistentia cinematographici longitudinis) est 400×10-6/V. Pressio resistendi augetur etiam addito agentium potestate. Utere agentium potestate cum particulis minoribus quam 1μ (exempli gratia 0.3μ), cum intentione resistentiae 1100V/cm (longitudo resistentiae cinematographicae). Utens potestate agentis cum particula 0.1μ, resistentia pressionis augeri potest ad 2200V/cm (resistentia cinematographici longitudinis). Ad alias cinematographicae condiciones, quaeso, ad resistorem vitreae vitreae metallicae referendum.